Serje ta 'tubu wieħed PIN b'erba' kwadranti

Mudell: GT111 / GT112 / GD3250Y / GD3249Y / GD3244Y / GD3245Y / GD32413Y / GD32414Y / GD32415Y

Deskrizzjoni qasira:

L-apparat huwa erba 'fotodijodi PIN tas-silikon bl-istess unità, li jaħdmu taħt il-kondizzjoni ta' reverse bias, ir-rispons spettrali jvarja minn dawl viżibbli għal qrib infra-aħmar, il-wavelength tar-rispons massimu huwa 980nm, u r-rispons f'1064nm jista 'jilħaq sa 0.5A /W.

tikseb kwotazzjoni Niżżel

Parametru Tekniku

KARATTERISTIĊI

APPLIKAZZJONI

Tags tal-Prodott

Karatteristiċi fotoelettriċi (＠Ta＝22±3℃)
Mudell	GT111	GT112	GD3250Y	GD3249Y	GD3244Y	GD3245Y	GD32413Y	GD32414Y	GD32415Y
Formola tal-pakkett	TO-8	TO-8	TO-8	TO-20	TO-31-7	TO-31-7	MBCY026-P6	TO-8	MBCY026-W7W
Daqs tal-wiċċ fotosensittiv (mm)	Φ4	Φ6	Φ8	Φ10	Φ10	Φ16	Φ14	Φ5.3	Φ11.3
Medda ta' rispons spettrali (nm)	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1150	400 ~ 1150
L-ogħla tul ta' mewġ tar-rispons (nm)	980	980	980	980	980	980	980	980	980
Ir-rispons λ=1064nm (A/W)	0.3	0.3	0.3	0.3	0.4	0.4	0.4	0.5	0.5
Kurrent skur (nA)	5(V_R=40V)	7(V_R=40V)	10(V_R=40V)	15(V_R=40V)	20(V_R=135V)	50(V_R=135V)	40(V_R=135V)	4.8(V_R=140V)	≤20(V_R=180V)
Ħin ta' żieda In = 1064nm RL = 50Ω (ns)	15(V_R=40V)	20(V_R=40V)	25(V_R=40V)	30(V_R=40V)	20(V_R=135V)	30(V_R=135V)	25(V_R=135V)	15(V_R=140V)	20(V_R=180V)
Kapaċitanza tal-junction f=1MHz(pF)	5(V_R=10V)	7(V_R=10V)	10(V_R=10V)	15(V_R=10V)	10(V_R=135V)	10(V_R=135V)	16(V_R=135V)	4.2(V_R=140V)	10(V_R=180V)
Vultaġġ tat-tqassim (V)	100	100	100	100	300	300	300	≥300	≥250

Kurrent skur baxx

Reattività għolja

Konsistenza tajba tal-kwadrant

Żgħir blind spot

Apparat tal-mira bil-lejżer, ta 'traċċar ta' gwida u ta 'esplorazzjoni

Mikropożizzjonament bil-lejżer, monitoraġġ ta 'spostament u sistemi oħra ta' kejl ta 'preċiżjoni